🔥 Gate 廣場活動:#发帖赢代币NESS 🔥
發布與 NESS 或 HODLer Airdrop 活動 相關的原創內容,即有機會瓜分 5,000 枚 NESS 獎勵!
📅 活動時間:2025年12月2日 – 12月9日 24:00(UTC+8)
📌 HODLer Airdrop 活動詳情:
https://www.gate.com/zh/announcements/article/48445
📌 參與方式:
1️⃣ 在 Gate 廣場發布原創內容,主題需與 NESS 或 HODLer Airdrop 活動相關
2️⃣ 內容不少於 80 字
3️⃣ 帖子添加話題:#发帖赢代币NESS
4️⃣ 可附上參與 HODLer Airdrop 的截圖(可選)
🏆 獎勵設置
🥇 一等獎(1名):1,000 NESS
🥈 二等獎(3名):800 NESS / 人
🥉 三等獎(5名):300 NESS / 人
📄 注意事項:
內容需原創,不得抄襲或灌水;
獲獎者需完成 Gate 廣場身分認證;
Gate 對活動擁有最終解釋權。
富加鎵業4英寸VB法氧化鎵襯底性能達到國際先進水平
金十數據2月20日訊,記者從杭州光學精密機械研究所獲悉,杭州光機所孵育企業杭州富加鎵業在垂直布里奇曼(VB)法氧化鎵晶體生長領域取得重大突破,經測試單晶質量達到國際先進水平,現同步向市場推出晶體生長設備及工藝包。測試結果表明,使用富加鎵業設備生長出的4英寸VB晶體內無孿晶,單晶襯底XRD半高全寬(FWHM)優於50arcsec,與導模法制備的氧化鎵單晶襯底質量相當,性能達到國際先進水平。