Navitas запускає технологію SiC MOSFET 5-го покоління для живлення центрів обробки даних наступного покоління

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) представила своє нове покоління технології силікон-карбідних (SiC) MOSFET, розроблене для задоволення зростаючих потреб у перетворенні енергії для інфраструктури штучного інтелекту та енергетичних систем. Компанія оголосила про п’яте покоління платформи GeneSiC 12 лютого 2026 року, що є значним кроком уперед у продуктивності високовольтних напівпровідників. Ця нова архітектура поєднує передовий планарний дизайн з канавковою допомогою та покращеними характеристиками надійності, позиціонуючи Navitas як ключового гравця у сфері MOSFET-технологій для дата-центрів та мережевої інфраструктури.

Цей прорив стався у критичний момент, коли дата-центри штучного інтелекту та об’єкти відновлюваної енергетики потребують більш ефективної та компактної електроніки для обробки зростаючих операційних навантажень. Оновлена платформа MOSFET Navitas вирішує ці виклики за допомогою найсучаснішої архітектури TAP, що дає інженерам можливість зменшити енергоспоживання та операційні витрати у складних застосуваннях.

Прорив у продуктивності: що означає на 35% краща ефективність

П’яте покоління MOSFET забезпечує рекордне покращення на 35% у показнику RDS,ON × QGD порівняно з попереднім поколінням 1200V, що кардинально змінює підхід до оптимізації силових ланцюгів системних проектувальників. Це безпосередньо зменшує втрати при переключенні, забезпечує більш холодну роботу пристрою та дозволяє працювати на вищих частотах без шкоди для стабільності.

Технологія досягає додаткового покращення приблизно на 25% у співвідношенні QGD/QGS, що забезпечує швидшу реакцію затвора. У поєднанні з високим пороговим напругою (VGS,TH ≥ 3V) нове покоління MOSFET демонструє виняткову стійкість до паразитних включень. Це особливо цінно в високошумних промислових умовах, де цілісність сигналу безпосередньо впливає на надійність системи.

Платформа п’ятого покоління додатково оптимізує характеристику RDS(ON) × EOSS, інтегруючи власну технологію м’якої діодної структури. Це зменшує електромагнітні завади (EMI) під час швидкого переключення та забезпечує більш плавний комутатор, що підвищує стабільність системи, виходячи за межі можливостей окремого MOSFET.

Покращені стандарти надійності для критично важливих застосувань

Navitas провела цю генерацію MOSFET за стандартом AEC-Plus, що перевищує галузеві норми для автомобільної та промислової надійності. Валідація включає:

• Розширені статичні випробування у 3 рази довше за стандартні (HTRB, HTGB, HTGB-R)
• Передові динамічні випробування на довгострокову надійність, включаючи зворотний напружений стрес (DRB) та стрес переключення затвора (DGS)
• Мінімальні зміщення VGS,TH за довгий час роботи, що гарантує передбачувану довгострокову ефективність
• Виведення на рівень понад 1 мільйон років експлуатації при напрузі 18V та температурі 175°C
• Висока стійкість до космічних променів із надзвичайно низькими показниками FIT (Failure In Time) для високогірних та безперервних режимів роботи

Ці характеристики безпосередньо відповідають потребам операторів інфраструктури, які залежать від напівпровідникових пристроїв для підтримки безперервної роботи систем і передбачуваної продуктивності протягом десятиліть.

Доповнення технології GaN у спектрі силових напівпровідників

Нове покоління SiC MOSFET доповнює існуючі високовольтні пропозиції Navitas з платформи 4-го покоління GeneSiC (лінії 2300V та 3300V), створюючи комплексне портфоліо з різними напругами. Це дозволяє проектувальникам обирати оптимальну технологію — чи то на основі GaN, чи SiC — залежно від конкретних вимог застосування у дата-центрах штучного інтелекту, мережевій інфраструктурі та промисловій електрифікації.

Стратегія Navitas відображає понад 30 років досвіду у технологіях широкої забороненої зони. Лінійка GaNFast продовжує забезпечувати швидке постачання енергії та високу щільність, тоді як розширення портфоліо GeneSiC MOSFET спрямоване на середньовольтні застосування, що вимагають високої ефективності та довгострокової надійності.

Вплив на ринок і майбутній розвиток

Павел Вілер, віце-президент і генеральний менеджер підрозділу SiC Navitas, підкреслив: «Значні технологічні покращення нашого п’ятого покоління GeneSiC підкреслюють прагнення Navitas до забезпечення провідних у галузі характеристик і надійності силікон-карбідних MOSFET.»

Компанія планує оголосити про нові продукти, що базуються на цій платформі п’ятого покоління, у найближчі місяці. Також опубліковано всебічний технічний білет про технологію Trench-Assisted Planar, доступний для завантаження, що надає системним проектувальникам детальні технічні рекомендації для впровадження.

З понад 300 патентами, виданими або в процесі отримання, та визнанням як першої у світі напівпровідникової компанії з сертифікацією CarbonNeutral, Navitas продовжує встановлювати стандарти інновацій у галузі силових напівпровідників, MOSFET та технологій широкої забороненої зони.